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小尺寸芯片電容加工工藝研究
3加工中的難點(diǎn)及改進(jìn)措施因?yàn)樾〕叽缧酒娙莩叽缙。?對(duì)線條精度和基板厚度一致性的要求更高, 所以相較于常規(guī)尺寸的芯片電容加工, 小尺寸芯片電容加工難度大。 同時(shí)由于外形較小, 劃切控制難度增加。因此, 針對(duì)小尺寸電容加工過程進(jìn)行研究, 并在研究的基礎(chǔ)上改進(jìn)了部分關(guān)鍵工藝。
3. 1基板厚度控制及篩選本研究使用的電容基板的介電常數(shù)在4 ooo; 左右,主要是以鈦酸鋇或其固溶體為主晶相的陶瓷材料。 該類基板通常是通過漿料流延燒結(jié)的方式制備的網(wǎng)。芯片電容屬于平行板電容器, 其整版內(nèi)容值的均勻性不僅受線條尺寸的影響, 也受基板自身厚度提供一種矩陣電容板及芯片測(cè)試方法,矩陣電容板, 包括: 多條信號(hào)線、多條第二信號(hào)
線,設(shè)置在各條信號(hào)線與各條第二信號(hào)線的相交處的電容形成的電容矩陣,電容矩陣中包括至少兩種電容; 芯片測(cè)試方法包括,矩陣電容板的電容矩陣中設(shè)置至少兩種容值的電容,從而能夠模擬正常狀態(tài)(即未觸摸狀態(tài)) 和觸摸狀態(tài)的功能,并且能夠基于矩陣電容板的該功能實(shí)現(xiàn)對(duì)芯片的不同性能狀況的測(cè)試。
推薦產(chǎn)品一、麗芯微電 100pF, ≥1G@50V, 單面留邊 單層芯片電容
型號(hào):C12-15-50V-101
容值/容差:100pF / ±20%
溫度系數(shù):±15%@-55~+125℃
絕緣電阻@電壓:≥1G@50V
損耗@頻率:≤2.5@1MHz
封裝尺寸:0.381*0.381*0.178 mm
性能特點(diǎn):尺寸小、容值大,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,單面電極留有絕緣邊;采用MM結(jié)構(gòu),產(chǎn)品寄生參數(shù)小,使用頻率高至100GHz;表面純金電極,適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊,以及Sn /Pb、導(dǎo)電膠粘接;七專級(jí)/ 普軍級(jí)可選。
推薦產(chǎn)品二、麗芯微電 10pF, ≥100G@100V, 單面留邊 單層芯片電容
型號(hào):C12-15-100V-100
容值/容差:10pF / ±20%
溫度系數(shù):±15%@-55~+125℃
絕緣電阻@電壓:≥100G@100V
損耗@頻率:≤4.0@1KHz
封裝尺寸:0.381*0.381*0.178 mm
性能特點(diǎn):尺寸小、容值大,結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,單面電極留有絕緣邊;采用MM結(jié)構(gòu),產(chǎn)品寄生參數(shù)小,使用頻率高至100GHz;表面純金電極,適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊,以及Sn /Pb、導(dǎo)電膠粘接;七專級(jí)/ 普軍級(jí)可選。
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